(2) 选择合理的驱动条件

IGBT的动静态特性与门极驱动条件密切相关。正反向驱动电压±Uge 、门极电阻Rg 对IGBT的饱和压降、开关损耗、短路耐量等都有不同程度影响。经验表明，正向驱动以13V ≤Ug ≤15V ，反向驱动以- 7V ≤- Uge ≤- 5V 为宜。在开关损耗允许的情况下，Rge 应适当选大。

(3) 利用缓冲电路限制过压

IGBT感性关断时产生的浪涌电压一方面可能使IGBT的关断轨迹位于安全工作区之外，另一方面使管耗增加，温度升高对抑制擎住不利。必须使用缓冲电路消除这种开关浪涌。缓冲电路采用阻止放电型结构，如图6 所示。各参数按下列关系选取：

式中Ls 引线电感，以1μH/ m计Io IGBT最大脉冲电流值K 额定减小系数，非重复时K= 1 ，重复时K = 0. 8

Ucep 集射间的峰值电压，Ucep = Ud + UFM +Lsd i/ dUd 直流高压UFM 二极管暂态正向压降，1200V 级取40～60V

实测电压尖峰ΔU = Ucep - Ud