2. 2 系统的控制结构

系统控制结构如图3 所示。电流环作为输出电压控制环的辅助环，能成功地限制逆变器的输出电流，以防止逆变器过载，提高系统稳定性。

图中Uge 电压给定Upc 偏磁校正Igd 电流给定Uxl 限流给定

3 擎住效应及防护技术

3. 1 擎住效应

IGBT 由四层PNPN 组成，内部形成一个寄生晶闸管，有可能由于再生作用而发生擎住。IGBT的擎住效应有两种模型：稳定导通时的静态擎住及关断时产生的动态擎住。

3. 2 静态擎住效应

IGBT的等效电路如图4a 所示。α1 、α2 分别是VT1 和VT2 的电流放大系数且为电压电流的函数。如果α1 增大，通过P 基区的空穴电流Ih 也增大，当Up = Ih Rp > 0. 7V 时，NPN 管开通，VT1 、VT2 发生正反馈。已知当α1 + α2 = 1时，IGBT被擎住，栅极失去控制作用。IGBT 将发生破坏性损坏。

3. 3 动态擎住效应

考虑结电容的等效电路如图4b 所示， IGBT在关断时J2 结因反偏几乎承受着全部高压。结电容Cj2影响最大，仅考虑Cj2的影响。重加d v/ d t 使Cj2产生位移电流iDis ：

iDis∝d v/ d t (3)

擎住发生时有如下关系：