此时应为动态α，若不考虑α随电压的变化，仅考虑电流对其影响，则动态αs 定义为：

由上式可看出，擎住发生时αs1 + αs2 = 1。此时与静态的α1 、α2 无关。管电流随iDis位移电流迅猛增加，关断时重加d v/ d t 最为有害。

3. 4 擎住效应的防护

由上述可知，IGBT 的擎住效应是由器件的特殊结构决定的。应为IGBT 设计良好的周边电路，抑制擎住的发生，主要从以下几方面考虑。

(1) 避免IGBT超过热极限

IGBT的擎住电流与温度有关，参见图5。散热器的温度以不超过70 ℃为宜。因温度升高后，NPN 管开通的偏置电压不再是0. 7V ，而是随温度的升高而下降;p + 区的横向电阻RP 随温度升高而增大，二者的影响均促使擎住电流下降。