图4寄生三极管导通

　　在图4中，Rp为源极下体内收缩区的电阻，Rc为接触电阻，Rp和Rc随温度增加而增加，射极和基极的开启电压VBE随温度的增加而降低。因此，UIS的能力随度的增加而降低。

　　UIS损坏模式

　　图5UIS损坏模式（VDD=150V，L=1mH，起始温度25℃）

　　在什么的应用条件下要考虑雪崩能量

　　从上面的分析就可以知道，对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。

　　另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。