公式(5)

　　对于一些低压的器件，VDS-VDD变得很小，引入的误差会较大，因此限制了此测量电路的在低压器件中的使用。

　　目前测量使用的电感，不同的公司有不同的标准，对于低压的MOSFET，大多数公司开始趋向于用0.1mH的电感值。通常发现：如果电感值越大，尽管雪崩的电流值会降低，但最终测量的雪崩能量值会增加，原因在于电感增加，电流上升的速度变慢，这样芯片就有更多的时间散热，因此最后测量的雪崩能量值会增加。这其中存在动态热阻和热容的问题，以后再论述这个问题。

　　雪崩的损坏方式

　　图3显示了UIS工作条件下，器件雪崩损坏以及器件没有损坏的状态。

　　UIS损坏波形

　　图3UIS损坏波形

　　事实上，器件在UIS工作条件下的雪崩损坏有两种模式：热损坏和寄生三极管导通损坏。热损坏就是功率MOSFET在功率脉冲的作用下，由于功耗增加导致结温升高，结温升高到硅片特性允许的临界值，失效将发生。

　　寄生三极管导通损坏：在MOSFET内部，有一个寄生的三极管（见图4），通常三级管的击穿电压通常低于MOSFET的电压。当DS的反向电流开始流过P区后，Rp和Rc产生压降，Rp和Rc的压降等于三极管BJT的VBEon。由于局部单元的不一致，那些弱的单元，由于基级电流IB增加和三级管的放大作用促使局部的三极管BJT导通，从而导致失控发生。此时，栅极的电压不再能够关断MOSFET。

　　寄生三极管导通