如果电感L为0.1mH，IAS=10A，CDS=1nF，理论上，电压VDS为

　　CDSVDS2=LIAS2(3)

　　VDS=3100V

　　这样高的电压值是不可能的，那么为什么会有这样的情况？从实际的波形上看，MOSFET的DS区域相当于一个反并联的二极管。由于这个二极管两端加的是反向电压，因此处于反向工作区，随着DS的电压VDS增加，增加到接近于对应稳压管的钳位电压也就是V(BR)DSS时，VDS的电压就不会再明显的增加，而是维持在V(BR)DSS值基本不变，如图1所示。此时，MOSFET工作于雪崩区，V(BR)DSS就是雪崩电压，对于单次脉冲，加在MOSFET上的能量即为雪崩能量EAS：

　　EAS=LIAS2/2(4)

　　同时，由于雪崩电压是正温度系数，当MOSFET内部的某些单元温度增加，其耐压值也增加，因此，那些温度低的单元自动平衡，流过更多的电流以提高温度从而提高雪崩电压。另外，测量值依赖于雪崩电压，而在去磁期间，雪崩电压将随温度的增加而变化。

　　在上述公式中，有一个问题，那就是如何确定IAS？当电感确定后，是由tp来确定的吗？事实上，对于一个MOSFET器件，要首先确定IAS。如图1所示的电路中，电感选定后，不断地增加电流，直到将MOSFET完全损坏，然后将此时的电流值除以1.2或1.3，即降额70%或80%，所得到的电流值即为IAS。注意到IAS和L固定后，tp也是确定的。

　　过去，传统的测量EAS的电路图和波形如图2所示。注意到，VDS最后的电压没有降到0，而是VDD，也就是有部分的能量没有转换到雪崩能量中。

　　传统的EAS测量图

　　图2传统的EAS测量图

　　在关断区，图2（b）对应的三角形面积为能量，不考虑VDD，去磁电压为VDS，实际的去磁电压为VDS-VDD，因此雪崩能量为