摘要：通过双向结构线锯切割晶体硅片试验，分析了切片表面的微观形貌特点，研究了砂浆用量与进给速度对硅片表面粗糙度(Ra)、总厚度偏差(TTV)、翘曲度的影响大小。结果表明：结构线锯切割晶体硅片表面参数正常，符合检测标准，为切割效率提高，成本降低开辟了一条新的道路。

1引言

目前，太阳能硅片制造工艺主要流程为：单晶拉直或多晶浇铸—开方—磨面和倒角—硅晶棒切片——清洗—分拣包装。切片是把硅晶棒变为硅晶片的一道重要工序，其切片质量的好坏直接影响后续加工工序及最终加工质量。目前，切片的主要方法有两种：一是利用钢线锯高速运行带动悬浮在PEG中的碳化硅磨削晶棒实现切片；二是直接利用钢线表面镶嵌或电镀有金刚石的金刚线锯磨削晶棒块实现切片[1-4]。由于第二种切片方式需要对现有设备进行改造，费用昂贵，且还需要改进电池片工艺，因此没有广泛推广利用。而第一种工艺也存在切片质量不稳地，成本偏高的缺点，因此，如何提高硅片切割质量，降低成本是各个硅片生产厂家迫切需要解决的问题。

本文进行了结构线锯双向切割硅片的实验，分析了切片表面微观形貌特点及形成原因，研究了工艺参数对硅片的表面粗糙度、总厚度偏差(TTV)、翘曲度与亚表面损伤层厚度(SSD)的影响，并对实验结果进行了分析。

2试验

2.1试验方法

图1瑞士梅耶博格DS264型切片机示意图

本实验选用瑞士梅耶博格DS264型切片机进行双向结构线锯试验。图1为此切割装置的示意图。