图4VisEra硅基板LED封装热阻分析

　　应用以硅为导热基板的LED封装，如图4所示，在3.37x3.37mxm2的小尺寸面积上，具有快速导热的性能，可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备(T3Ster)量测到的热阻值，在25oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：

　　1.Chip:1oC/W

　　2.Bondinglayer:1.5oC/W

　　3.Sisubstrate:2.5oC/W

　　当大电流(700mA)通入在1x1mm²的LED芯片上，硅基板因热阻的温升为6.3oC(=2.5x700mAx3.6V)，硅基板会快速将热传导出LED芯片，LED芯片只会有小量光衰。硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片，LED芯片会只会有小许光衰。因此，LED芯片封装在硅基板上适合于大功率使用(~700mA，约3W)。因为硅基板制作及LED封装在硅基板,技术难度非常高,目前只有少许公司具备。硅作为LED集成封装基板材料的热阻低于氧化铝基板材料,应用于大功率时,硅基板为好的选择。

　　总体LED封装热阻经T3Ster实测结果比较如下：

　　LEDSi封装:VisEra:5oC/W

　　LED氧化铝，E公司:25oC/W

　　LED氧化铝封装，R公司:8.2oC/W