引言
　　
　　为微处理器系统中的能量存储/传输处理选择体去耦电容是一件复杂的事情，由于强调产品的物理尺寸，处理器制造商一般只规定满足器件能量转换要求所需要的电容量，而不考虑为适合的电容排列留置的可用空间。嵌入式单板计算机中所用的处理器还要求更高的电容充放电性能，从而要求一个低的时间常数。
　　
　　随着电容制造向更小型化封装应用的继续推进，一种高电容量、低ESR及低电压应用的理想方案是3-D多阳极涂层(conformalcoated)片式电容。　　
　　高电容量和低ESR技术
　　
　　有多种技术已可实现单位体积电容量的优化。例如，涂层片式钽电容技术，该技术去除了常规模压固体钽电容的引线框结构，同时这种类似于半导体特殊封装的技术大大降低平均尺寸。Vishay已经开发了涂层钽片式技术，用于满足NASA要求的电容使用。这些产品远远超过了常规模压表面安装钽电容(SMD)的容积效率。不过设计师们还需要使ESR最小化，而这一要求刺激了多种候选方案。
　　
　　Polymer铝电容　　
　　Polymer铝电容具有非常低的ESR，在10m或更小的范围，它填充了高电容量多层陶瓷电容(MLCC)和钽聚合物电容之间的应用空间。不过，尽管它们满足了滤波应用中所需的ESR要求，但它们的容积效率通常要比钽技术小很多。在组装空间十分珍贵的应用中，这种技术必须让位于其它技术如钽式技术等。
　　
　　固体钽电容　　
　　固体钽电容有标准和低ESR两种类型。两种类型均采用通常的引线框结构制作。固体钽低ESR类型所具有的ESR值100KHz时在100m范围。由于ESR值取决于阳极的外表面，因此较大的外形尺寸一般都拥有较低的ESR值。固体钽电容方面大量的粉末研制工作产生了新的更低水平的ESR值。另外浪涌电压方面也得到改进使固体钽技术功能更强大。
　　
　　Polymer钽电容　　
　　Polymer钽电容运用了新式高导电性的聚合物。高导电性聚合物用于阴极而非二氧化锰。聚合物阴极在导电率上的改善带来更低的阻抗和更低的ESR。低阻抗还带来优异的高频滤波响应。Polymer钽电容技术拥有最低的ESR，大大低于相近尺寸的常规固体钽电容。事实上，引线框结构主要制约给定外形尺寸下可用电容量。
　　
　　多阳极钽电容　
　　现今，高容积和低ESR的双重要求正在由一种3-D的封装方式来解决，它是一种多阳极钽电容，该结构去除了常规的引线框。此结构在小型化SMD封装下取得了高电容量，并可以与常规模压钽器件引脚兼容。重要的是，该技术取得了非常低而稳定的ESR。
　　
　　多阳极电容的主要电性能、机械参数包括：　　
　　高电容：一般>1000F;
　　工作温度范围内非常低而稳定的ESR;　　
　　低电感;　　
　　宽的额定电压范围：4V、6.3V及10V;
　　低DCL<60A;
　　小尺寸、低厚度3D片式封装;
　　无引线框;
　　标准引脚，与常规模压钽电容尺寸兼容
　　体去耦电容应用