1.1 阻容吸收保护原理

根据可控硅三相全控整流桥的工作原理，在可控硅换相过程中，由于在换相的两相之间存在瞬间短路电流，这一瞬间短路电流将不可避免地在交流回路的电感上产生换相过电压，因此，在三相全控整流桥的交流侧设计阻容吸收保护回路，其原理如图2。

在可控硅换相过程中，任意二相电流突变而在LB次级绕组产生的过电压，都可以经过二极管D1~D6对电容C3充电，从而得到缓冲，限制了过电压。而换相后，C3上的电荷经过R3释放掉，等待下一个周期再次吸收。

二极管D1~D6的作用：①防止C上的电荷向励磁回路释放，避免叠加可控硅换相时的瞬间短路电流，损坏可控硅管;②避免电容C和回路电感产生振荡;③使三相共用一组体积大、价格高的高压电容C3，节省资金。

C1和R1回路及C2和R2回路的作用：使C1 C2 C3形成串联回路对转子回路进行滤波。