影响扩散的因素：

1.管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片N型区域磷浓度的大小。

2。表面的杂质源达到一定程度时，将对N型区域的磷浓度改变影响不大。

3.扩散温度和扩散时间对扩散结深影响较大。

4.N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小。

安全操作：所有的石英器具都必须轻拿轻放。源瓶更换的标准操作过程。依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。

⑷周边刻蚀

周边刻腐目的：

1.去除硅片周边的n层，防止短路。

2.工艺方法有等离子刻蚀和激光划边。

3.我们采用等离子刻蚀机把周边n层刻蚀掉。

刻蚀方法：等离子刻蚀和湿法刻蚀。本公司采用等离子刻蚀。

等离子体刻蚀原理：

等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。

1.母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。

2.其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。

3.生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。

刻蚀影响因素：刻蚀时间和射频功率

硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料，其质量对电池性能有很重要影响，下面以单晶硅片举例说明

一、少子寿命对电池性能的影响

少子寿命是指半导体材料在外界注入(光或电)停止后，少数载流子从最大值衰减到无注入时的初值之间的平均时间。少子寿命值越大，相应的材料质量越好

二、早期光致衰减对电池性能的影响

1.早期光致衰减机理

光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可恢复

2.危害

一方面会引起组件功率在使用的最初几天内发生较大幅度的下降，使标称功率和实际功率不符

另一方面，如果同一组件内各个电池片光致衰减不一致，会造成原本分选时电性能一致的电池片，经过光照后，电性能存在很大偏差，引起组件曲线异常和热斑现象，导致组件早期失效

热斑电池的温度与周电池的温度相差较大，过热区域可引起EVA加快老化变黄，使该区域透光率下降，从而使热斑进一步恶化，导致组件的早期失效。

3.解决办法

1)改善硅单晶质量

A.利用磁控直拉硅单晶工艺

此工艺不仅能控制单晶中的氧浓度，也使硅单晶纵向、径向电阻率均匀性得到改善，但需配置磁场设备并提供激磁电源，增加成本和工艺难度;

B.使用掺磷的N型硅片

从目前产业化的丝网印刷P型电池工艺来看，N型电池在转换效率和制造成本上还没有优势，一些关键工艺有待解决

C.用稼代替硼作为P型掺杂剂

2)电池片光照预衰减

三、位错对电池性能的影响

硅片中存在着极高的位错密度，成为少数载流子的强复合中心，最终导致电池和组件性能的严重下降。