将氧化铝应用在LED封装主要是因为氧化铝材料高绝缘性及可制作轻小的组件，然而，氧化铝基板应用在电子组件，会因为氧化铝材料导热系数低(约20K/W)，造成高热阻。图2为T3Ster热阻仪测试E公司氧化铝基板封装LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的结果，在25oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：

　　1.Chip:2oC/W

　　2.Bondinglayer:3oC/W

　　3.氧化铝基板:20oC/W(高热阻,基板制作不佳)

　　当175mA小电流通入在1x1mm²的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为10.5oC(=20x175mAx3.0V),热不易传导出LED芯片；当350mA电流通入在1x1mm²的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为23oC(=20x350mAx3.3V)，此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会产生大量光衰;而当500mA大电流通入在1x1mm²的LED芯片上时，氧化铝基板因热阻的温升大约为36oC(20x(500Ax3.6V)，此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。因此，LED芯片封装若选择氧化铝基板，因其热阻高，封装组件只适合使用在低功率(~175mA，约0.5W)。

　　图3R公司氧化铝基板的LED封装热阻分析

　　图3为T3Ster热阻仪测试氧化铝基板封装LED(LEDarea:1x1mm;LEDemitter:3.15x3.5mm))的结果，在25oC环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：

　　1.Chip:2oC/W

　　2.Bondinglayer:1.5oC/W

　　3.氧化铝基板:4.7oC/W(氧化铝基板厚度:400um,铜层厚度75um)

　　当175mA小电流通入下，其基板因热阻温升为4.7oC;当电流来到350mA，基板温升为6.9oC，当500mA电流通入时，基板温升大约为8.1oC,及当700mA大电流通入下，基板因热阻温升大约为11oC。

　　当氧化铝基板温升大于8oC,此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。LED芯片封装在氧化铝基板，封装组件只适合始使用功率(~350mA，约1watt)。