各功率器件的损耗如图2所示。在图2中，Pt是原边变压器损耗;Pl是输出滤波电感的损耗;Pmos是MosFET的损耗;Pd1是整流二极管的损耗;Pd2是续流二极管的损耗;Pother是其他器件的损耗和。

图2 功率器件损耗

现在，一些半导体器件厂商都能给出比较详细的有关损耗的参数，而电源研发人员，也能在实际的工程中计算出功率器件实际的损耗，进而不断地修正这些值，使得这些元器件的损耗能非常接近真实值。所以说要求出各功率器件在消耗一定功率产生的实际温升，现在的关键就要考虑热阻了。但是热阻的值一般会受到以下因数的影响很大，如功率元器件的损耗，空气流动的速度、方向、扰动的等级，邻近功率元器件的影响，PCB板的方向等。所以一般热测量的条件是很严格的。现在先看看对于一个是用于自然风冷，但四周密封且不用风机的功率元器件的热测试方法。功率元器件热测试中的剖面图如图3所示。

图3 热测试中的功率器件结构图

图4 2R 模型

这样就可以根据公式RJX=(TJ-TX)/Ploss求出结点到环境的热阻RthJA(RthJA=RthJS+RthSA)。有关RthJA的计算，这里只介绍一种简单的热模型(Compact thermal model)2R模型，即Two-Resistor Model。其理论依据如图4所示。

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