SH79F6431主要资源如下：

工作电压2.4V~3.6V(部分IO支持5V，用于PLC接口);

JTAG在线调试;

64KB FLASH程序存储空间;

256B IRAM，2816 XRAM;

3路UART接口，一路内置红外调制电路;

3路定时器，2路PWM，可用来产生ESAM和CPU卡时钟;

硬件IIC接口，方便与LCD，EEPROM通讯;

内置4通道10 bit ADC，可内部直接测量电池电压;

带补偿低功耗硬件实时时钟;

内置高速PLL;

内置掉电检测基准源，方便准确检测外部掉电;

内置电源切换电路;

内置4*39 LCD driver;

支持ISP。

从资源上看，SH79F6431完全可以满足国网单相电能表的应用，比较特别的是其RTC为硬件RTC，其运行独立于CPU，不受各种复位电路的影响，并可提供两种供电模式下的功耗兼顾和实时性补偿机制。在保证市电供电情况下，每个秒脉冲都准确稳定，而且用户接口统一，非常简单易用，用户只要将需要校正的频率偏差除以2.03并取整后写入校正寄存器(RTCDATA)即可。

图4中Rref，Rntc和C1组成测温电路，用于晶体环境温度的测量。考虑到功耗和自热问题，Rref和Rntc的阻抗较大，这里Rref选用100kΩ/0.1%电阻，Rntc采用50kΩ，C1为1000pF，用于满足ADC输入动态电阻的要求。

振荡器选用Seiko VT-200F及12pF，电容应采用温漂较小的C0G电容。

对于前文提到的各种影响时钟精度的因素，补偿方法如下：

工艺和负载电容的影响：

在常温(25℃左右)下测量出频偏B(单位PPM)，将B/2.03写入RTCDATA即可。

老化的影响：

根据晶体实际工作时间和老化率，将老化引起的频偏除以2.03可得到老化补偿值，与常温补偿值和温度补偿值代数求和后，写入RTCDATA，每年补偿一次。

温度的影响：

用测温电路测量出当前的温度值，根据温度和晶振频率随温度变化的曲线，找到对应温度下由温度影响引起的频偏A。全温度范围内，要补偿满足国网要求，需确保温度控制在±1℃以内。

晶振的温度特性并非理想的抛物线，各厂商的温度特性均不相同，需要大量的温度实验来获取温度特性，工作量巨大。实践表明，每5℃一个点进行描绘，既可以保证精度，又可以使工作量得到较大的减轻。

补偿动作在市电供电下，可一分钟进行一次;在电池供电下，考虑到功耗，一般十五分钟一次即可。一次补偿的软件流程如图5所示。

基于SH79F6431的内置RTC补偿SoC方案，简单易行，无需复杂运算，相比较独立RTC芯片成本得到大幅降低。目前该方案通过批量试产验证，性能可优于国网要求，全温度范围内，达到±0.3s/d，补偿效果关键取决于测温精度和物料的一致性。