单晶炉的操作规程

  

　　利用区熔单晶炉进行以下操作：

 

　　1.清炉、装炉;

 

　　2.抽空、充气、预热;

 

　　3.化料、引晶;

  

　　4.生长细颈;

 

　　5.扩肩及氮气的充入;

  

　　6. 转肩、保持及夹持器释放;

  

　　7.收尾、停炉清炉、装炉：

 

　　(1)清洗整个炉室内壁及加热线圈、反射器、晶体夹持器、上轴、下轴，调整加热线圈和反射器的水平及与上轴、下轴的对中;将多晶料夹具固定到多晶料尾部的刻槽处，然后将其安装到上轴末端，进行多晶料的对中;将籽晶装入籽晶夹头上，然后将其安装到下轴顶端;关闭各个炉门，拧紧各紧固螺栓;

  

　　(2)抽空、充气，预热：打开真空泵及抽气管道阀门，对炉室进行抽真空，真空度达到所要求值时，关闭抽气管道阀门及真空泵，向炉膛内快速充入氩气;当充气压力达到相对压力 1bar-6bar时，停止快速充气，改用慢速充气，同时打开排气阀门进行流氩;充气完毕后，对多晶硅棒料进行预热，预热使用石墨预热环，使用电流档，预热设定点25-40%，预热时间为10-20分钟;

  

　　(3)化料、引晶：预热结束后，进行化料，化料时转入电压档，发生器设定点在40-60%;多晶料熔化后，将籽晶与熔硅进行熔接，熔接后对熔区进行整形，引晶;

 

　　(4)生长细颈：引晶结束后，进行细颈的生长，细颈的直径在2-6mm，长度在30-60mm;

  

　　(5)扩肩及氮气的充入：细颈生长结束后，进行扩肩，缓慢减少下速至3±2mm/min，同时随着扩肩直径的增大不断减少下转至8±4rpm，另外还要缓慢减小上转至1±0.5rpm;为了防止高压电离，在氩气保护气氛中充入一定比例的氮气，氮气的掺入比例相对于氩气的 0.01%-5%;

  

　　(6)转肩、保持及夹持器释放：在扩肩直径与单晶保持直径相差3-20mm时，扩肩的速度要放慢一些，进行转肩，直至达到所需直径，单晶保持，等径保持直径在75mm-220mm，单晶生长速度1mm/分-5mm/分，在扩肩过程中，当单晶的肩部单晶夹持器的销子的距离小于2mm时释放夹持器，将单晶夹住;

  

　　(7)收尾、停炉：当单晶拉至尾部，开始进行收尾，收尾到单晶的直径达到Φ10-80mm，将熔区拉开，这时使下轴继续向下运动，上轴改向上运动，同时功率保持在40±10%，对晶体进行缓慢降温。