如果按照PECVD系统所使用的频率范围,又可将其分成以下几类:
■0Hz:直流间接法——OTB公司
■40KHz:Centrotherm公司管式直接法PECVD和AppliedMaterial公司的磁控溅射系统
■250kHz:岛津公司的板式直接法系统
■440kHz:Semco公司的板式直接法
■460kHz:Centrotherm公司管式直接法
■13.6MHz:Semco公司和MVSystem公司的板式直接法系统
■2450MHz:Roth&Rau公司的板式间接法系统。
三各种方法的优缺点比较
各种方法都有其有缺点:从大的方面讲,直接PECVD法对样品表面有损伤,会增加表面少子的复合,但是也正是由于其对表面的轰击作用,可以去除表面的一些自然氧化层,使得表面的杂质原子得到抑制,另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中,使得晶界钝化更充分。
使用不同频率的PECVD系统,也各有一定的优缺点:
(1)频率越高均匀面积越小,越难于达到大面积均匀性。
(2)频率越低对硅片表面的损伤越严重。
(3)频率越低离子进入硅片越深,越有利于多晶硅晶界的钝化。
我们将不同频率的PECVD方法在电路控制难度的比较列于表1中。
各种不同的技术的沉积特性的比较列于表2
来源:中国新能源