磁导率μ
在各向同性的均匀磁介质中，B与H成正比关系：
B=μH
μ称为磁介质的磁导率μ=B/H，
磁介质的磁导率μ=μ0（1 χm）
磁介质的相对磁导率μr=（1 χm）
是磁化曲线上任意一点上B和H的比值。磁导率实际上代表了磁性材料被磁化的容易程度。在磁化的不同阶段，材料的磁导率也不同，磁导率在最高点称为最大磁导率。在磁化起始点的磁导率称为初始磁导率，简称初导。磁导率是软磁材料的另一个非常重要的指标。相对初始磁导率μi定义为
在SI中,磁导率的单位亨[利]每米（H/m），常用T/（A/m），T/（A/cm），但一般用相对磁导率μr来表示。1（H/m）=T/（A/m)=100T/（A/cm)，在有些资料上用特/奥（斯特）（T/Oe）或高斯/奥（斯特）（Gs/Oe），高斯与奥斯特都是以前的物理量。1T=10000Gs，1A/m=4πe-3Oe，磁导率为1Gs/Oe的磁介质的相对磁导率为1。相对磁导率μr是无量纲量。
铁芯损耗角Ψ
要使磁性材料有磁感应强度B时，必须要有磁场强度H。对于交流电，磁感应强度B与磁场强度H并不同步，磁感应强度B总是落后于磁场强度H，落后的角度就是铁芯损耗角。磁导率和损耗角不是一个常量可以通过铁芯磁化特性曲线查到。在电流互感器正常工作范围内，磁感应强度B越大，铁芯损耗角越大。
电流互感器额定电流，额定电流比
额定电流本意为在此电流下可以长期工作而不会损坏，额定的输入输出电流分别称额定一次电流、额定二次电流，额定一次电流与额定二次电流比值称额定电流比，用Kn表示。对用户而言通常关心的是额定电流，在微型电流互感器额定电流标称为如：5A/2.5mA表示额定一次电流5A、额定二次电流2.5mA，额定电流比为2000。额定电流是设计微型电流互感器的主要依据。
电流互感器比差
比差也称比值差：比差就是二次电流与实际一次电流按额定电流比折算成的理论二次电流的差值，并用与后者的百分数表示，对于未经过补偿的微型电流互感器的比差均为负值。
f=(I2-I1/Kn)/(I1/Kn)×100
f—比差
I2—二次电流A
I1—一次电流A
Kn—额定电流比
电流互感器角差
角差也称相位差：角差就是二次电流反相后与一次电流的相位差，通常用分(′)表示,超前于一次电流相位差为正值,反之为负值。对于未经过补偿的微型电流互感器的角差均为正值。
电感器Inductor
凡能产生电感作用的元件统称电感器，一般的电感器由线圈构成，所以又称电感线圈，为了增加电感量和Q值并缩小体积，通常在线圈加有软磁铁氧体磁芯。电感器可分为固定电感和可调电感（微调电感量）。固定电感器一般用色码或色环来标志电感量，因此也称色码电感器.由于整机小型化和生产自动化的要求,目前电感器已向贴装(SMD)方向发展。
电感值Inductance
当一个线圈中的电流变化时，变化的电流所产生的通过线圈回路自身的磁通量也发生变化，使线圈自身产生感应电动势。自感系数则是表征线圈产生自感应能力的一个物理量，自感系数也称自感或电感，用L来表示，采用亨利（H）做单位，它的千分之一称毫亨（mH），百万分之一称为微亨（μH）,微亨的千分之－称为纳亨(NH)。
品质因数Qualityfactor
品质因数Q是用来衡量储能元件（电感或电容）所储存的能量与其耗损能量之间关系的一个因数，表示为：Q=2π最大储存能量/每周消散能量。一般要求电感线圈的Q值愈大愈好,但过大会使工作回路的稳定性变差。
自谐频率Self-resonantfrequency
电感器并非是纯感性元件，尚有分布电容分量，由电感器本身固有电感和分布电容而在某一个频率上发生的谐振，称为自谐频率,亦称共振频率。用S.R.F.表示,单位为兆赫（MHz）。
直流电阻DCResistance(DCR)
电感线圈在非交流电下量得之电阻,在电感设计中,直流电阻愈小愈好,其量测单位为欧姆,通常以其最大值为标注。
阻抗值Impedance
电感的阻抗值是指其在电流下所有的阻抗的总和(复数),包含了交流及直流的部份，直流部份的阻抗值仅仅是绕线的直流电阻(实部)，交流部份的阻抗值则包括电感的电抗(虚部)。从这个意义上讲,也可以把电感器看成是"交流电阻器”。
额定电流Ratedcurrent
允许能通过一电感之连续直流电流强度,此直流电流的强度是基於该电感在最大的额定环境温度中的最大温升,额定电流与一电感籍由低的直流电阻以降低绕线的损失的能力有关,亦与电感驱散绕线的能量损失的能力有关,因此,额定电流可籍著降低直流电阻或增加电感尺寸来提高,对低频的电流波形,其均方根电流值可以用来代替直流额定电流,额定电流与电感的磁性并无关连。
来源：中国电能质量
